HY1503C1 دیتاشیت

HY1503C1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1503C1
حجم فایل 66.036 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HY1503C1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1503C1
  • Power Dissipation (Pd): 17.8W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 34A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,10A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه